Admin
Администратор
Производители чипов перешли к вертикальной интеграции транзисторов из-за невозможности дальнейшего уменьшения их размеров. На конференции IEEE Electronic Components and Technology Conference были представлены новые рекорды плотности соединений. Бельгийский центр Imec совместно с EV Group достиг шага между медными контактами в 200 нм, а CEA-Leti продемонстрировал 1 мкм для схемы «кристалл с пластиной». Эти достижения открывают новые возможности для ускорения обмена данными и снижения энергопотребления в микроэлектронике.