Admin
Администратор
Китайские учёные разработали транзистор толщиной всего один нанометр, который работает при рекордно низком напряжении. Этот ферроэлектрический полевой транзистор (FeFET) объединяет память и вычисления в одном элементе, что делает его более энергоэффективным.
Новый транзистор работает при напряжении около 0,6 вольта, что значительно ниже предыдущих версий FeFET. Энергопотребление устройства снижено в десять раз, что делает его перспективным для использования в дата-центрах и специализированных чипах для ИИ.
Транзистор был создан командой учёных из Пекинского университета и Китайской академии наук. Они уменьшили затворный электрод до одного нанометра, что потребовало работы на уровне отдельных атомов. Новая конструкция усиливает электрическое поле в ферроэлектрическом слое, что позволяет снизить напряжение и энергопотребление. Время отклика транзистора составляет 1,6 наносекунды, что делает его пригодным для быстродействующих систем. Технология уже запатентована и может стать основой для создания узлов с масштабом менее одного нанометра.
